在相同封装尺度下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗下降10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可出产128GB内存模组
跟着12纳米级内存产品阵型的扩展，三星将持续为AI，下一代核算等多职业的各种运用供给支撑
2023年9月1日，三星宣告选用12纳米(nm)级工艺技能，开宣布其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开端量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后获得的又一成果，这稳固了三星在开发下一代DRAM内存技能领域中的位置，并敞开了大容量内存年代的新篇章。
三星电子存储器事业部内存开发组履行副总裁SangJoon Hwang表明：
在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的根底上，咱们咱们可以研宣布完成1TB内存模组的解决方案，这有助于满意AI和大数据年代关于大容量DRAM内存日渐增加的需求。咱们将经过差异化的工艺与规划技能，持续研制内存解决方案，以打破内存技能的瓶颈。
三星自1983年开宣布首款64千比特（Kb）的内存以来，在曩昔的40年间将内存容量提高了50万倍。最新开发的32Gb DDR5内存颗粒，选用前沿的工艺技能，提高了集成密度并优化了封装规划，与DDR5 16Gb颗粒比较，在相同封装尺度情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。
尤其是，曩昔运用16Gb内存颗粒制作的DDR5 128GB内存模组需求选用硅通孔(TSV)工艺。而现在，运用最新开发的32Gb内存颗粒，即便不运用硅通孔(TSV)工艺也可以出产128GB内存模组。与运用16Gb内存封装的128GB内存模组比较，其功耗下降了约10%。这一技能打破使该产品成为数据中心等重视能效的企业的优选解决方案。
以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为根底，三星方案持续扩大大容量内存产品阵型，以满意高性能核算和IT职业持续增加的需求。经过向数据中心，以及选用AI和下一代核算等运用的客户供给12纳米级的32Gb内存，三星期望稳固其鄙人一代内存商场的前沿位置。未来，该产品还将在三星与其他中心职业同伴的长时间协作中发挥至关重要的效果。
三星以不停地改善改造的思维与技能鼓励国际、刻画未来。从头界说电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络体系、存储、体系集成电路、半导体代工制作及LED解决方案。
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